Технічний опис NTD25P03LG 0N
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 75W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTD25P03LG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTD25P03LG | Виробник : ON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTD25P03LG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||
NTD25P03LG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||
NTD25P03LG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V |
товар відсутній |