на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 202.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4032SPN,115 NXP SEMICONDUTORS
Description: TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 2.3W, Current - Collector (Ic) (Max): 5.7A, 4.8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, 115MHz, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції PBSS4032SPN,115
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
PBSS4032SPN,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||
PBSS4032SPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||
PBSS4032SPN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||
PBSS4032SPN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 5.7/4.8A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 5.7/4.8A Power dissipation: 2.3W Case: SO8 Current gain: 150...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
PBSS4032SPN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2.3W Current - Collector (Ic) (Max): 5.7A, 4.8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz, 115MHz Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |
||
PBSS4032SPN,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT Dual +/-30V '+5.7A -5.7A 0.73W 140MHz |
товар відсутній |
||
PBSS4032SPN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 5.7/4.8A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 5.7/4.8A Power dissipation: 2.3W Case: SO8 Current gain: 150...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |