Продукція > NEXPERIA > PDTC114ET,215
PDTC114ET,215

PDTC114ET,215 NEXPERIA

pdtc114e_ser.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1584000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC114ET,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: PDTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PDTC114ET,215 за ціною від 0.72 грн до 12.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1584000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15152+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 15152
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : NEXPERIA pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
385+0.8 грн
Мінімальне замовлення: 385
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1584000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14151+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 14151
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13637+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 13637
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8380+1.39 грн
42000+ 1.28 грн
84000+ 1.19 грн
126000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 8380
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.88 грн
6000+ 1.71 грн
9000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : NEXPERIA 1511870.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.96 грн
1500+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
290+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 290
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1666801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
290+1.99 грн
3000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 290
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5577+2.09 грн
9037+ 1.29 грн
9616+ 1.21 грн
10345+ 1.09 грн
15000+ 0.93 грн
30000+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 5577
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC114ET.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.34 грн
225+ 1.64 грн
500+ 1.3 грн
700+ 1.18 грн
1875+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 175
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC114ET.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.8 грн
150+ 2.04 грн
500+ 1.56 грн
700+ 1.41 грн
1875+ 1.33 грн
12000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+7.25 грн
130+ 4.48 грн
131+ 4.44 грн
291+ 1.92 грн
295+ 1.75 грн
500+ 1.67 грн
1000+ 1.03 грн
3000+ 0.97 грн
6000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 80
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : NEXPERIA 1511870.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+9.02 грн
116+ 6.39 грн
197+ 3.77 грн
500+ 1.96 грн
1500+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 82
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 24845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.4 грн
38+ 7.41 грн
100+ 4.01 грн
500+ 2.96 грн
1000+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : Nexperia PDTC114ET-3081383.pdf Digital Transistors PDTC114ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 26090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.14 грн
41+ 7.43 грн
100+ 2.96 грн
1000+ 1.84 грн
3000+ 1.12 грн
9000+ 1.05 грн
24000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : NXP Semiconductors pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PDTC114ET,215 Виробник : NXP PDTC114ET.pdf NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k PDTC114ET smd TPDTC114et
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
PDTC114ET,215 Виробник : NXP PDTC114ET.pdf NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k PDTC114ET smd TPDTC114et
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC114E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: PDTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній