на замовлення 663000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.88 грн |
6000+ | 4.35 грн |
12000+ | 4.31 грн |
18000+ | 4.11 грн |
30000+ | 2.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV65XP,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 833mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PMV65XP,215 за ціною від 3.08 грн до 35.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 663000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V |
на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 624000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 833mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 32189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 833mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32189 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V |
на замовлення 268447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : Nexperia | MOSFET PMV65XP/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 106957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : NXP |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB PMV65XP,215 TPMV65x кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
PMV65XP,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |