SS26L RVG

SS26L RVG Taiwan Semiconductor Corporation


SS22L-SS215L_O2103.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.94 грн
10+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SS26L RVG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V.

Інші пропозиції SS26L RVG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SS26L RVG SS26L RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation SS22L-SS215L_O2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
товар відсутній