STB11NM60T4

STB11NM60T4 STMicroelectronics


en.CD00005066.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.38 грн
10+ 228.71 грн
100+ 185.01 грн
500+ 154.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB11NM60T4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STB11NM60T4 за ціною від 127.86 грн до 306.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB11NM60T4 STB11NM60T4 Виробник : STMicroelectronics stp11nm60-1851412.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+306.89 грн
10+ 254.25 грн
25+ 179.14 грн
250+ 159.16 грн
500+ 135.85 грн
1000+ 127.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11NM60T4 STB11NM60T4 Виробник : STMicroelectronics stp11nm60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60T4 Виробник : STMicroelectronics stp11nm60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60T4 STB11NM60T4 Виробник : STMicroelectronics stp11nm60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60T4 STB11NM60T4 Виробник : STMicroelectronics stp11nm60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60T4 STB11NM60T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00005066.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній