Продукція > STMICROELECTRONICS > STP11NM65N
STP11NM65N

STP11NM65N STMicroelectronics

cd00158685.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP11NM65N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STP11NM65N за ціною від 130.02 грн до 130.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP11NM65N STP11NM65N Виробник : STMicroelectronics cd00158685.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+130.02 грн
Мінімальне замовлення: 90
STP11NM65N Виробник : STMicroelectronics en.CD00158685.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP11NM65N STP11NM65N Виробник : STMicroelectronics cd00158685.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP11NM65N Виробник : STMicroelectronics cd00158685.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP11NM65N STP11NM65N Виробник : STMicroelectronics en.CD00158685.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товар відсутній
STP11NM65N STP11NM65N Виробник : STMicroelectronics cd00158685-1796384.pdf MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
товар відсутній