STW70N60DM2 STMicroelectronics
на замовлення 563 шт:
термін постачання 184-193 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 804.56 грн |
| 10+ | 741.05 грн |
| 25+ | 558.51 грн |
| 100+ | 525.74 грн |
| 250+ | 475.92 грн |
| 600+ | 436.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW70N60DM2 STMicroelectronics
Description: N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 6, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW70N60DM2 за ціною від 722.87 грн до 867.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Mounting: THT Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 6 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Mounting: THT Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
товар відсутній |