Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G26H606W19NR3 NXP USA Inc.
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz 85 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A5G26H606W19NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A5G26H606W19NR3 | NXP Semiconductors | Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz 85 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A5G26H606W19NR3 |
Виробник: NXP Semiconductors
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz 85 W Avg., 48 V
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz 85 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.