Продукція > APSEMI > AC2M0160120D
AC2M0160120D

AC2M0160120D APSEMI

ABUIABA9GAAgndWRvAYooPiHtgI.pdf Виробник: APSEMI
Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 18A TO247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.23 грн
11+226.95 грн
51+202.66 грн
101+136.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AC2M0160120D APSEMI

Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 18A TO247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 124W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.