Продукція > APSEMI > AC3M0021120D
AC3M0021120D

AC3M0021120D APSEMI

ABUIABA9GAAgntWRvAYo5YWItwU.pdf Виробник: APSEMI
Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 117A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 472W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1138.80 грн
11+1023.61 грн
51+913.95 грн
101+617.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AC3M0021120D APSEMI

Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 117A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 472W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.