Продукція > APSEMI > AC3M0025065K
AC3M0025065K

AC3M0025065K APSEMI

ABUIABA9GAAgndWRvAYo5MrU5AI.pdf Виробник: APSEMI
Description: SIC MOSFET N-CH 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 330W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.79 грн
11+820.12 грн
51+732.26 грн
101+494.77 грн
501+406.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AC3M0025065K APSEMI

Description: SIC MOSFET N-CH 650V 74A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 330W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.