Продукція > APSEMI > AC3M0045065D
AC3M0045065D

AC3M0045065D APSEMI

ABUIABA9GAAgn9WRvAYo8pfDoQE.pdf Виробник: APSEMI
Description: SIC MOSFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 178W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.02 грн
11+542.50 грн
51+484.38 грн
101+327.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AC3M0045065D APSEMI

Description: SIC MOSFET N-CH 650V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V, Power Dissipation (Max): 178W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.