Продукція > APSEMI > AC3M0065090D
AC3M0065090D

AC3M0065090D APSEMI

ABUIABA9GAAgn9WRvAYoxLDeoAI.pdf
Виробник: APSEMI
Description: SIC MOSFET N-CH 900V 37A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 120W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+609.85 грн
11+548.06 грн
51+489.34 грн
101+330.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AC3M0065090D APSEMI

Description: SIC MOSFET N-CH 900V 37A TO247-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Power Dissipation (Max): 120W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.