Продукція > APSEMI > AC3M0075120D
AC3M0075120D

AC3M0075120D APSEMI

ABUIABA9GAAgntWRvAYo7-vj8QY.pdf Виробник: APSEMI
Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 33A TO247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.81 грн
11+340.46 грн
51+303.99 грн
101+205.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AC3M0075120D APSEMI

Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 33A TO247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 136W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.