Продукція > APSEMI > AC3M0160120D
AC3M0160120D

AC3M0160120D APSEMI

ABUIABA9GAAgn9WRvAYo3ouR2QM.pdf Виробник: APSEMI
Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 18A TO247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.70 грн
11+221.75 грн
51+198.01 грн
101+133.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AC3M0160120D APSEMI

Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 18A TO247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.