Продукція > APSEMI > AC3M0350120D
AC3M0350120D

AC3M0350120D APSEMI

ABUIABA9GAAgn9WRvAYo-Nac5wM.pdf
Виробник: APSEMI
Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+213.10 грн
10+191.85 грн
60+153.48 грн
240+116.90 грн
450+97.42 грн
900+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AC3M0350120D APSEMI

Description: SIC MOSFET N-CH 1200V 8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.6A, 15V, Power Dissipation (Max): 52W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.