ADE4D20120D

ADE4D20120D Analog Power Inc.


ADE4D20120D.pdf Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1890.26 грн
10+1617.20 грн
100+1414.46 грн
500+1132.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ADE4D20120D Analog Power Inc.

Description: DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2473, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 0V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 33A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V.