AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 150W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Gate charge: 64nC, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), Technology: TRENCHSTOP™ RC, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 10A, Pulsed collector current: 30A, Turn-on time: 24ns, Turn-off time: 331ns, Collector-emitter voltage: 600V, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції AIHD10N60RATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AIHD10N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC DISCRETE 600V TO252-3 |
товару немає в наявності |
||
|
|
AIHD10N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 331ns Collector-emitter voltage: 600V |
товару немає в наявності |