Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMDQ75R020M1HXUMA1
AIMDQ75R020M1HXUMA1

AIMDQ75R020M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-AIMDQ75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef09e47dd2aca Виробник: Infineon Technologies
Description: AIMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1124.08 грн
10+861.80 грн
100+764.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMDQ75R020M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: AIMDQ75R020M1HXUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMDQ75R020M1HXUMA1 за ціною від 885.31 грн до 1494.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMDQ75R020M1HXUMA1 AIMDQ75R020M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMDQ75R020M1H_DataSheet_v02_00_EN-3445932.pdf SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1494.26 грн
10+1298.50 грн
25+1097.93 грн
50+1037.70 грн
100+976.02 грн
250+945.54 грн
500+885.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R020M1HXUMA1 AIMDQ75R020M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef09e47dd2aca Description: AIMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.