Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMZA75R090M1HXKSA1
AIMZA75R090M1HXKSA1

AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-aimza75r090m1h-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+160.25 грн
10+156.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AIMZA75R090M1HXKSA1 за ціною від 160.25 грн до 160.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMZA75R090M1HXKSA1 AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-aimza75r090m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1 AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIMZA75R090M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1 AIMZA75R090M1HXKSA1 INFINEON Description: INFINEON - AIMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1 infineon-aimza75r090m1h-datasheet-v02_00-en.pdf
AIMZA75R090M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 23A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon_AIMZA75R090M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
AIMZA75R090M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R090M1HXKSA1
AIMZA75R090M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.