AKS0509 AKYGA SEMI


bss123.pdf
Виробник: AKYGA SEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.36W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 12Ω
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
71+6.01 грн
162+2.62 грн
500+1.46 грн
1000+1.24 грн
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 46 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AKS0509 AKYGA SEMI

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.36W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 0.68A, Power dissipation: 0.36W, Gate charge: 2.5nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.17A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23, On-state resistance: 12Ω.