Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > AL1J-CT
AL1J-CT

AL1J-CT Diotec Semiconductor

al1a.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AA
Packaging: Strip
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.29 грн
50+24.32 грн
100+20.96 грн
250+14.03 грн
750+7.80 грн
1000+7.20 грн
1500+6.36 грн
2500+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AL1J-CT Diotec Semiconductor

Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AA, Packaging: Strip, Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V.