Продукція > ANALOG POWER INC. > AMR416N
AMR416N

AMR416N Analog Power Inc.

AMR416N.pdf
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 75A DFN5X6
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7442 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+78.44 грн
10+50.41 грн
100+45.34 грн
500+33.10 грн
1000+27.19 грн
3000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AMR416N Analog Power Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 75A DFN5X6, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7442 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN.