AO8801A

AO8801A ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


AO8801A-DTE.pdf Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 960mW; TSSOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 0.96W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO8801A ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 960mW; TSSOP8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3.6A, Power dissipation: 0.96W, Case: TSSOP8, Gate-source voltage: ±8V, Mounting: SMD, Gate charge: 9.3nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції AO8801A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AO8801A AO8801A Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8801A.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
товар відсутній
AO8801A AO8801A Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO8801A-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 960mW; TSSOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 0.96W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній