Технічний опис AOB20B65M1 Alpha & Omega Semiconductor
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 114W; TO263, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 20A, Power dissipation: 114W, Case: TO263, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: SMD, Gate charge: 46nC, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції AOB20B65M1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB20B65M1 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 114W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 114W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||
| AOB20B65M1 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 114W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 114W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |