Технічний опис AOD8B65MQ1 Alpha & Omega Semiconductor
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 8A, Power dissipation: 36W, Case: TO252, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 24A, Mounting: SMD, Gate charge: 22nC, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції AOD8B65MQ1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD8B65MQ1 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 36W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||
| AOD8B65MQ1 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 36W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |