Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOI2610E
AOI2610E

AOI2610E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI2610E.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-251A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOI2610E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251A; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 36.5A, Power dissipation: 23.5W, Case: TO251A, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 7nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Інші пропозиції AOI2610E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOI2610E AOI2610E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOI2610E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 23.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2610E AOI2610E.pdf
AOI2610E
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 23.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.