Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOI950A70
AOI950A70

AOI950A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI950A70.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 700V 5A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 461 pF @ 100 V
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.08 грн
70+74.59 грн
140+59.11 грн
560+47.02 грн
1050+38.30 грн
2030+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOI950A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 5A TO251A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 56.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251A, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 461 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AOI950A70

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOI950A70 AOI950A70 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOx950A70.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI950A70 AOx950A70.pdf
AOI950A70
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.