AOK40B65M3

AOK40B65M3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AOK40B65M3.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: IGBT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 365 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/125ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.31 грн
30+198.91 грн
120+164.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOK40B65M3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 365 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/125ns, Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V, Gate Charge: 59 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції AOK40B65M3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOK40B65M3 AOK40B65M3 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 86aok40b65m3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65M3 AOK40B65M3 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BDAB426B1820&compId=AOK40B65M3.pdf?ci_sign=011e3be4edb824bc5f5a934df3b379d14343a64d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.