AON5820

AON5820 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3518229854A50&compId=AON5820-DTE.pdf?ci_sign=6f94511d9c5f1b938c8ed1e129359ee944f62631 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1W; DFN6; common drain
Mounting: SMD
Case: DFN6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Gate charge: 12.5nC
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.78 грн
19+21.50 грн
56+16.54 грн
154+15.67 грн
5000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AON5820 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5).

Інші пропозиції AON5820 за ціною від 18.43 грн до 41.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AON5820 AON5820 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3518229854A50&compId=AON5820-DTE.pdf?ci_sign=6f94511d9c5f1b938c8ed1e129359ee944f62631 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1W; DFN6; common drain
Mounting: SMD
Case: DFN6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Gate charge: 12.5nC
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.73 грн
11+26.80 грн
56+19.85 грн
154+18.81 грн
5000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AON5820 AON5820 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon5820.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON5820 AON5820 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5820.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.