AON5820 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1W; DFN6; common drain
Case: DFN6
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common drain
Power dissipation: 1W
Gate charge: 12.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 33.77 грн |
| 20+ | 20.88 грн |
| 100+ | 19.31 грн |
| 250+ | 18.49 грн |
| 500+ | 16.59 грн |
| 1000+ | 15.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
14 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON5820 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5).
Інші пропозиції AON5820
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AON5820 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AON5820 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.