AON5820

AON5820 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3518229854A50&compId=AON5820-DTE.pdf?ci_sign=6f94511d9c5f1b938c8ed1e129359ee944f62631 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1W; DFN6; common drain
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: DFN6
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.48 грн
20+20.08 грн
100+18.57 грн
250+17.78 грн
500+15.95 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AON5820 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5).

Інші пропозиції AON5820 за ціною від 18.38 грн до 38.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AON5820 AON5820 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3518229854A50&compId=AON5820-DTE.pdf?ci_sign=6f94511d9c5f1b938c8ed1e129359ee944f62631 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1W; DFN6; common drain
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: DFN6
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.97 грн
12+25.02 грн
100+22.28 грн
250+21.33 грн
500+19.14 грн
1000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AON5820 AON5820 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon5820.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON5820 AON5820 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5820.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN-EP (2x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.