
AOTF2610L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 15.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 15.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 59.28 грн |
8+ | 49.39 грн |
25+ | 47.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF2610L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AOTF2610L за ціною від 57.06 грн до 61.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOTF2610L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 15.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 15.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 973 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
AOTF2610L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |