AOTF2610L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 15.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15.5W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
On-state resistance: 10.7mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 71.80 грн |
| 17+ | 56.94 грн |
| 46+ | 53.64 грн |
| 500+ | 52.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF2610L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AOTF2610L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AOTF2610L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AOTF2610L |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.