Технічний опис AOTF66811L Alpha & Omega Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 320A; 14W; TO220F, Mounting: THT, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 80A, On-state resistance: 3mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 14W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 77nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 320A, Case: TO220F, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції AOTF66811L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
AOTF66811L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 320A; 14W; TO220F Mounting: THT Drain-source voltage: 80V Drain current: 80A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 14W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 77nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A Case: TO220F кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||
AOTF66811L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 320A; 14W; TO220F Mounting: THT Drain-source voltage: 80V Drain current: 80A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 14W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 77nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A Case: TO220F |
товару немає в наявності |