AOWF7S60

AOWF7S60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED8809C96CEF6C2EA18&compId=AOWF7S60.pdf?ci_sign=9c00b4b38605801017b6a099cad0659d462f23d6 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.57 грн
9+47.79 грн
25+44.30 грн
100+40.64 грн
500+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOWF7S60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO262F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262F, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AOWF7S60 за ціною від 40.58 грн до 59.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOWF7S60 AOWF7S60 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED8809C96CEF6C2EA18&compId=AOWF7S60.pdf?ci_sign=9c00b4b38605801017b6a099cad0659d462f23d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.55 грн
25+53.15 грн
100+48.77 грн
500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF7S60 AOWF7S60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF7S60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.