AOY2N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 57W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 57W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOY2N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 57W; TO251, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 1.4A, Power dissipation: 57W, Case: TO251, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 4.7Ω, Mounting: THT, Gate charge: 6.5nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції AOY2N60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AOY2N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH |
товар відсутній |
|
|
|
AOY2N60 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 57W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Power dissipation: 57W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: THT Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |