Технічний опис AOY2N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 57W; TO251, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 1.4A, Case: TO251, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 4.7Ω, Mounting: THT, Gate charge: 6.5nC, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 57W.
Інші пропозиції AOY2N60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AOY2N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 57W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: THT Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Power dissipation: 57W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. |
| AOY2N60 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 57W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 57W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику
од. на суму грн.