APT1001RSVRG MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 280W
Gate charge: 225nC
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 5®
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: D3PAK
On-state resistance: 1Ω
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1648.53 грн |
| 2+ | 1447.57 грн |
| 3+ | 1399.18 грн |
| 10+ | 1392.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1001RSVRG MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 44A, Power dissipation: 280W, Gate charge: 225nC, Polarisation: unipolar, Technology: POWER MOS 5®, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: D3PAK, On-state resistance: 1Ω.
Інші пропозиції APT1001RSVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT1001RSVRG | MICROSEMI |
Power MOSFET Transistor APT1001 кількість в упаковці: 31 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |