APT1001RSVRG MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1365.88 грн |
| 2+ | 1199.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1001RSVRG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A, Case: D3PAK, Mounting: SMD, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 44A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 11A, On-state resistance: 1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 280W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 225nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1001RSVRG за ціною від 1494.29 грн до 1639.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT1001RSVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A Case: D3PAK Mounting: SMD Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 11A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT1001RSVRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||
| APT1001RSVRG | Виробник : MICROSEMI |
Power MOSFET Transistor APT1001 кількість в упаковці: 31 шт |
товар відсутній |