APT1001RSVRG MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 280W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 280W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1814.69 грн |
| 3+ | 1513.31 грн |
| 10+ | 1429.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1001RSVRG MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 44A, Power dissipation: 280W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 225nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1001RSVRG за ціною від 1714.92 грн до 2177.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT1001RSVRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 280W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT1001RSVRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| APT1001RSVRG | Виробник : MICROSEMI |
Power MOSFET Transistor APT1001 кількість в упаковці: 31 шт |
товару немає в наявності |