APT1003RBFLLG Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 846.26 грн |
| 10+ | 833.41 грн |
| 100+ | 664.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1003RBFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3, Case: TO247-3, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 16A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 4A, On-state resistance: 3Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 139W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 34nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1003RBFLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1003RBFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 16A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
APT1003RBFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 16A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC |
товар відсутній |