Технічний опис APT10045JFLL Microsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10045JFLL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10045JFLL | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT10045JFLL | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT10045JFLL Transistor modules MOSFET |
товару немає в наявності |
||
 |
APT10045JFLL | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 11.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |