Технічний опис APT1201R4BLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 9A, Power dissipation: 300W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 0.12µC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1201R4BLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1201R4BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
APT1201R4BLLG | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO247 |
товар відсутній |
|
|
|
APT1201R4BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |