Технічний опис APT1201R4BLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 9A, Case: TO247-3, On-state resistance: 1.4Ω, Power dissipation: 300W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.12µC.
Інші пропозиції APT1201R4BLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1201R4BLLG | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO247 |
товару немає в наявності |
|
 |
APT1201R4BLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Case: TO247-3 On-state resistance: 1.4Ω Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC |
товару немає в наявності |