Технічний опис APT1201R4BLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Case: TO247-3, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.12µC, On-state resistance: 1.4Ω, Drain current: 9A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 300W, Drain-source voltage: 1.2kV, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1201R4BLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1201R4BLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
APT1201R4BLLG | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO247 |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT1201R4BLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |