APT1201R5BVRG

APT1201R5BVRG MICROCHIP (MICROSEMI)


Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT1201R5BVRG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3, On-state resistance: 1.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Mounting: THT, Gate charge: 28nC, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 10A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT1201R5BVRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT1201R5BVRG APT1201R5BVRG Виробник : Microchip Technology mchp_s_a0010884195_1-2274771.pdf MOSFET MOSFET MOS5 1200 V 1.5 Ohm TO-247
товар відсутній
APT1201R5BVRG APT1201R5BVRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
товар відсутній