APT17F120J Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 545W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2202.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT17F120J Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 545W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT17F120J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT17F120J | Виробник : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS8 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| APT17F120J | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules FREDFET MOS8 1200 V 17 A SOT-227 |
товару немає в наявності |