Технічний опис APT20M16LLLG Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 694W, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M16LLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT20M16LLLG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT20M16LLLG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT20M16LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 694W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
APT20M16LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 694W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |