APT20M20JLL Microsemi


Виробник: Microsemi
MOSFET Power MOSFET - MOS7
на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT20M20JLL Microsemi

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 200V; 104A; ISOTOP; screw; Idm: 416A, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 104A, On-state resistance: 20mΩ, Power dissipation: 463W, Polarisation: unipolar, Case: ISOTOP, Kind of package: tube, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 416A, Semiconductor structure: single transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT20M20JLL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT20M20JLL APT20M20JLL Виробник : Microchip Technology 20m20jll.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 104A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M20JLL Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 104A; ISOTOP; screw; Idm: 416A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 104A
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 463W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 416A
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M20JLL Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 104A; ISOTOP; screw; Idm: 416A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 104A
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 463W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 416A
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.