APT40GP90BG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 825µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 543 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1104.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT40GP90BG Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns, Switching Energy: 825µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 145 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 543 W.
Інші пропозиції APT40GP90BG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT40GP90BG | Microsemi |
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single |
на замовлення 15 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT40GP90BG |
|
Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)