APT44GA60B Microsemi


APT44GA60B_S_D-596922.pdf Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT44GA60B Microsemi

Description: IGBT 600V 78A 337W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/84ns, Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off), Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A, Power - Max: 337 W.

Інші пропозиції APT44GA60B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT44GA60B Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 123660-apt44ga60b-apt44ga60s-datasheet APT44GA60B THT IGBT transistors
товар відсутній
APT44GA60B APT44GA60B Виробник : Microchip Technology 123660-apt44ga60b-apt44ga60s-datasheet Description: IGBT 600V 78A 337W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/84ns
Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off)
Test Condition: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 337 W
товар відсутній