APT6013LLLG Microchip Technology


7175-apt6013b2llg-apt6013lllg-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT6013LLLG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO264, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5630 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-264 [L], Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Power Dissipation (Max): 565W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції APT6013LLLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT6013LLLG Microchip Technology APL602B2_L_G__E-3444798.pdf MOSFET MOSFET MOS7 600 V 13 Ohm TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT6013LLLG APL602B2_L_G__E-3444798.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET MOS7 600 V 13 Ohm TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.