APT65GP60B2G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 605µJ (on), 896µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/91ns
IGBT Type: PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Power - Max: 833 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT65GP60B2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Part Status: Active, Gate Charge: 210 nC, Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V, Switching Energy: 605µJ (on), 896µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 30ns/91ns, IGBT Type: PT, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube, Power - Max: 833 W.
Інші пропозиції APT65GP60B2G за ціною від 1065.41 грн до 1251.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT65GP60B2G | Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| APT65GP60B2G |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1251.22 грн |
| 100+ | 1065.41 грн |