Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTC60HM45SCTG

APTC60HM45SCTG Microchip Technology

Name: APTC60HM45SCTG
Brand: Microchip Technology
SKU: 5140066-4
Price: 98498.04 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 49A 14-Pin Case SP-4 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTC60HM45SCTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 130A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, On-state resistance: 45mΩ, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Power dissipation: 250W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTC60HM45SCTG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTC60HM45SCTG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Topology: H-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 130A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A On-state resistance: 45mΩ Semiconductor structure: SiC diode/transistor Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60HM45SCTG	Виробник : Microsemi Power Products Group	Description: MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60HM45SCTG	Виробник : Microchip Technology	Discrete Semiconductor Modules DOR CC4133	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60HM45SCTG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Topology: H-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 130A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A On-state resistance: 45mΩ Semiconductor structure: SiC diode/transistor Power dissipation: 250W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.