APTCV60HM45RCT3G Microsemi Power Products Group
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTCV60HM45RCT3G Microsemi Power Products Group
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W, Case: SP3F, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Type of semiconductor module: MOSFET / IGBT transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 45mΩ, Power dissipation: 250W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 38A, Collector current: 50A, Pulsed drain current: 130A, Drain-source voltage: 600V, Topology: H-bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge, Technology: CoolMOS™; Field Stop; SiC; Trench, Electrical mounting: Press-in PCB.
Інші пропозиції APTCV60HM45RCT3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTCV60HM45RCT3G | Виробник : Microchip Technology |
 Power Module 20-Pin Case SP-3 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APTCV60HM45RCT3G | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC3153 |
товару немає в наявності |
||
| APTCV60HM45RCT3G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W Case: SP3F Semiconductor structure: SiC diode/transistor Type of semiconductor module: MOSFET / IGBT transistor Mechanical mounting: screw On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 250W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 38A Collector current: 50A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 600V Topology: H-bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge Technology: CoolMOS™; Field Stop; SiC; Trench Electrical mounting: Press-in PCB |
товару немає в наявності |