Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTGT100DH120TG

APTGT100DH120TG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480W 20-Pin Case SP-4 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTGT100DH120TG Microchip Technology

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV, Mechanical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 200A, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering, Technology: Field Stop; Trench, Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SP4, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, кількість в упаковці: 8 шт.

Інші пропозиції APTGT100DH120TG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTGT100DH120TG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Case: SP4 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor кількість в упаковці: 8 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT100DH120TG	Виробник : Microsemi Power Products Group	Description: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT100DH120TG	Виробник : Microsemi	IGBT Modules Power Module - IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT100DH120TG	Виробник : Microchip Technology	IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP4	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTGT100DH120TG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Case: SP4 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.